首页> 外文OA文献 >Recombination and Lifetimes of Charge Carriers in Semiconductors
【2h】

Recombination and Lifetimes of Charge Carriers in Semiconductors

机译:半导体中电荷载体的重组和寿命

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

In this Communication, it is shown that models used for describing generationand recombination of electrons and holes lead to disagreements with Maxwell'selectrodynamics. Self-consistent expressions, more adequately depicting theactual physical processes of electron-hole recombination in semiconductors areobtained. It is shown that the electron and hole lifetimes can be definedcorrectly only for the special cases when the electron and hole nonequilibriumconcentrations are the same, these lifetimes being equal. The influence oftemperature inhomogeneity on the recombination is also considered. Therecombination rate for hot electrons is obtained in the case when the electronand hole temperatures differ.
机译:在本交流中,表明用于描述电子和空穴的产生和复合的模型导致与麦克斯韦电动力学的分歧。获得了自洽的表达式,可以更充分地描述半导体中电子-空穴复合的实际物理过程。结果表明,只有当电子和空穴的非平衡浓度相同时,这些寿命才可以正确定义电子和空穴的寿命。还考虑了温度不均匀性对重组的影响。在电子和空穴温度不同的情况下,可获得热电子的结合率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号